Xiaomi 12S Ultra будет дольше сохраняться в «идеальном» состоянии
Xiaomi продолжает делиться сведениями о своих будущих флагманах серии 12S.
Стало известно, что эти устройства будут оснащены новейшей технологией памяти, гарантирующей высокую производительность даже через несколько лет использования гаджета. Кроме того, в топовом 12S Ultra будут установлены сразу два чипа собственной разработки китайской компании.
Согласно новым тизерам, Xiaomi 12S Ultra оснастят сопроцессорами Surging G1 и Surging C1. Первый представляет собой чип, отвечающий за управление питанием. Он построен на базе технологий, применяемых в электромобилях, и способен контролировать состояние аккумулятора в режиме реального времени, в том числе отслеживая незначительные изменения материалов внутри АКБ.
Компания утверждает, что прогнозирование срока службы аккумулятора позволяет эффективно увеличить его «живучесть» примерно на 3-5%. Кроме того, Xiaomi также заявляет об улучшении времени автономной работы устройства за счёт фирменной микросхемы. В смартфоне также будет установлен чип Surge C1, отвечающий за оптимизацию процесса зарядки.
Кроме того, в смартфонах серии Xiaomi 12S впервые будет применена технология FBO, сертифицированная международной ассоциацией по стандартизации полупроводниковой промышленности и входящая в официальную спецификацию стандарта флеш-памяти следующего поколения UFS 4.0.
По заверению Xiaomi, эта технология предотвращает ухудшение производительности мобильных устройств после длительного использования, сохраняя скорость чтения и записи на исходном состоянии. Для сравнения, в новом Xiaomi 12S Ultra этот показатель составляет 1900 МБ/с и сохраняется на этом уровне после 4 лет симулированного использования.
Презентация новых смартфонов состоится уже в понедельник, 4 июля.